[ES] El objetivo de este TFG ha sido el diseño y verificación por simulación de un regulador de
tensión continua de baja caída de tensión entre la entrada y a la salida, llamados reguladores LDO
(Low Drop-Out). A ...[+]
[ES] El objetivo de este TFG ha sido el diseño y verificación por simulación de un regulador de
tensión continua de baja caída de tensión entre la entrada y a la salida, llamados reguladores LDO
(Low Drop-Out). A diferencia de los reguladores lineales convencionales donde el elemento
regulador en serie es un transistor BJT trabajando en su zona activa y en configuración de colector
común (seguidor de emisor), los reguladores LDO se basan en un transistor MOSFET trabajando en
su zona óhmica, de tal manera que la diferencia entre la tensión de entrada y la de salida se debe a la
resistencia interna del transistor MOSFET en su zona de conducción. Con objeto de comprender las
ventajas y limitaciones del diseño de un regulador LDO, se ha realizado una aproximación gradual
desde los reguladores más básicos (estabilización de tensión mediante diodo Zener) hasta llegar al
propio regulador LDO. Esta aproximación incluye una explicación del funcionamiento de cada
circuito, ecuaciones de diseño, y simulación por ordenador.
[-]
[EN] The objective of this final degree project (TFG) has been the design and simulation verification
of a low dropout voltage regulator (LDO). Unlike conventional linear regulators where the series
regulating element ...[+]
[EN] The objective of this final degree project (TFG) has been the design and simulation verification
of a low dropout voltage regulator (LDO). Unlike conventional linear regulators where the series
regulating element is a BJT transistor operating in its active region and in a common collector
configuration (emitter follower), LDO regulators are based on a MOSFET transistor operating in its
ohmic region. This means that the difference between the input and output voltages is due to the
internal resistance of the MOSFET transistor in its conduction zone. To understand the advantages
and limitations of LDO regulator design, a gradual approach has been taken from the most basic
regulators (voltage stabilization using a Zener diode) to the LDO regulator itself. This approach
includes an explanation of the operation of each circuit, design equations, and computer simulation.
[-]
[CA] L'objectiu d'aquest TFG ha sigut el disseny i verificació per simulació d'un regulador de tensió
contínua de baixa caiguda de tensió entre l'entrada i l'eixida, anomenats reguladors LDO (Low
Drop-Out). A diferència ...[+]
[CA] L'objectiu d'aquest TFG ha sigut el disseny i verificació per simulació d'un regulador de tensió
contínua de baixa caiguda de tensió entre l'entrada i l'eixida, anomenats reguladors LDO (Low
Drop-Out). A diferència dels reguladors lineals convencionals on l'element regulador en sèrie és un
transistor BJT treballant en la seua zona activa i en configuració de col·lector comú (seguidor
d'emissor), els reguladors LDO es basen en un transistor MOSFET treballant en la seua zona
òhmica, de tal manera que la diferència entre la tensió d'entrada i la d'eixida es deu a la resistència
interna del transistor MOSFET en la seua zona de conducció. Amb l'objectiu de comprendre els
avantatges i limitacions del disseny d'un regulador LDO, s'ha realitzat una aproximació gradual des
dels reguladors més bàsics (estabilització de tensió mitjançant díode Zener) fins a arribar al propi
regulador LDO. Aquesta aproximació inclou una explicació del funcionament de cada circuit,
equacions de disseny, i simulació per ordinador.
[-]
|